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• 000 01581nam0 2200349 450

• 001 0037013415

• 005 00000000000000.0

• 010 __ |a 978-7-121-35115-0 |d CNY79.00

• 100 __ |a 20190404d2019 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c jpn

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a y az 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 现代集成电路和电子系统的地球环境辐射效应 |9 xian dai ji cheng dian lu he dian zi xi tong de di qiu huan jing fu she xiao ying |b 专著 |d Terrestrial radiation effects in ULSI devices and electronic systems |f (日)Eshi H. Ibe著 |g 毕津顺,马瑶,王天琦译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 电子工业出版社 |d 2019

• 215 __ |a 14,210页 |d 26cm

• 225 1_ |a 国防电子信息技术丛书

• 305 __ |a 本书简体中文字版专有翻译出版权由John Wiley & Sons,Ltd.授予电子工业出版社

• 314 __ |a Eshi H. Ibe,博士,曾任日本日立公司首席研究员,1975年获得日本京都大学物理学士学位,1985年获得大阪大学核工程博士学位。

• 320 __ |a 有书目(第188-196页)

• 330 __ |a 本书主要介绍广泛存在的各种辐射,及其对电子设备和系统的影响,涵盖了造成ULSI器件出错和失效的多种辐射,包括电子、α射线、介子、γ射线、中子和重离子,从物理角度建模,以确定使用何种数学方法来分析辐射效应。

• 510 1_ |a Terrestrial radiation effects in ULSI devices and electronic systems |z eng

• 606 0_ |a 集成电路 |x 全球环境 |x 辐射效应

• 606 0_ |a 电子系统 |x 全球环境 |x 辐射效应

• 690 __ |a TN4 |v 5

• 690 __ |a TN103 |v 5

• 701 _0 |c (日) |a 伊部英治 |9 yi bu ying zhi |4 著

• 702 _0 |a 毕津顺 |9 bi jin shun |4 译

• 702 _0 |a 马瑶 |9 ma yao |4 译

• 702 _0 |a 王天琦 |9 wang tian qi |4 译

• 801 _2 |a CN |b 58marc.cn |c 20190512

• 905 __ |a DQNU |d TN4/A02 |s 3