机读格式显示(MARC)

• 000 01608nam0 2200325 450

• 001 0000402214

• 005 20230211135600.0

• 010 __ |a 978-7-111-70411-9 |d CNY89.00

• 100 __ |a 20220728d2022 em y0chiy50 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

• 102 __ |a CN |b 110000

• 105 __ |a a z 000yy

• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 纳米忆阻器与神经形态计算 |A na mi yi zu qi yu shen jing xing tai ji suan |d Neuromorphic circuits for nanoscale devices |f (美)皮纳基·马祖姆德(Pinaki Mazumder)[等]著 |g 于永斌，胡小方，符艺原译 |z eng

• 210 __ |a 北京 |c 机械工业出版社 |d 2022

• 215 __ |a 14,243页 |c 图 |d 24cm

• 225 2_ |a IC设计与嵌入式系统开发丛书 |A Ic She Ji Yu Qian Ru Shi Xi Tong Kai Fa Cong Shu

• 304 __ |a 著者还有：(美)亚尔辛·耶尔马兹(Yalcin Yilmaz)、(美)艾东格·依邦(ldongesit Ebong)、(韩)李宇铉(Woo Hyung Lee)

• 305 __ |a 由River Publishers授权出版

• 330 __ |a 本书涵盖忆阻器的发现与定义、数学模型、物理特性、器件系统以及神经形态计算，在此基础上，研究了基于忆阻器的数字存储器与多级存储架构、STDP、Q-Learning与迷宫搜索、细胞神经网络、BP神经网络、循环神经网络、WTA神经网络及其设计以及动力学与应用，分析了纳米电子器件、CMOS忆阻器神经形态芯片、滤波器设计及其图像处理等。

• 461 _0 |1 2001 |a IC设计与嵌入式系统开发丛书

• 510 1_ |a Neuromorphic circuits for nanoscale devices |z eng

• 606 0_ |a 纳米材料 |A Na Mi Cai Liao |x 非易失性存贮器 |x 研究

• 690 __ |a TP333.8 |v 5

• 701 _1 |c (美) |a 马祖姆德 |A ma zu mu de |c (Mazumder, Pinaki) |4 著

• 702 _0 |a 于永斌 |A yu yong bin |4 译

• 702 _0 |a 胡小方 |A hu xiao fang |4 译

• 702 _0 |a 符艺原 |A fu yi yuan |4 译

• 801 _0 |a CN |b DQNU |c 20230211

• 905 __ |a DQNU |d TP333.8/M30 |s 3