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• 010 __ |a 7-118-02883-5 |b 精装 |d CNY24.00

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• 100 __ |a 20080218d em y0chiy0110 ea

• 101 1_ |a chi |c eng

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• 106 __ |a r

• 200 1_ |a 硅锗的性质 |9 gui zhe de xing zhi |f （德）Erich Kasper主编 |g 余金中译

• 210 __ |a 北京 |c 国防工业出版社 |d 2002

• 215 __ |a 250页 |d 21cm

• 330 __ |a 本书共七章，第一章综述了SiGe应变层系统的一些总体性质；第二章至第六章给出了应变的和弛豫的SiGe合金的具体材料性质，论述了SiGe材料的结晶学、异质结构、热学性质、力学和晶格振动、能带结构、输运特性、磁学特性、表面性质、光吸收和光谱等方面的内容；第七章介绍了一些代表性的SiGe/Si器件的结构和特性。

• 510 1_ |a Properties of Strained and Relaxed Silicon Germanium |z eng

• 606 0_ |a 硅 |x 元素半导体 |x 性质

• 606 0_ |a 锗 |x 元素半导体 |x 性质

• 690 __ |a TN303 |v 4

• 701 _1 |a Kasper |b Erich |4 主编

• 702 _0 |a 余金中 |9 yu jin zhong |4 译

• 801 _0 |a CN |b 021001 |c 20021108

• 801 _2 |a CN |b |c 20080403

• 905 __ |a DQNU |d TN303/Y80

• 991 __

• 995 __ |a ST |f TN303/Y80 |s 1

• 999 __ |t C |A hxx |a 20080218 16:26:29 |M hxx |m 20080403 09:43:17 |G qiandl |g 20080624 09:14:3