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题名/责任者:

纳米忆阻器与神经形态计算/(美)皮纳基·马祖姆德(Pinaki Mazumder)[等]著 于永斌，胡小方，符艺原译

出版发行项:

北京:机械工业出版社,2022

ISBN及定价:

978-7-111-70411-9/CNY89.00

载体形态项:

14,243页:图;24cm

并列正题名:

Neuromorphic circuits for nanoscale devices

丛编项:

IC设计与嵌入式系统开发丛书

个人责任者:

(美) 马祖姆德 (Mazumder, Pinaki) 著

个人次要责任者:

于永斌 译

个人次要责任者:

胡小方 译

个人次要责任者:

符艺原 译

学科主题:

纳米材料-非易失性存贮器-研究

中图法分类号:

TP333.8

题名责任附注:

著者还有：(美)亚尔辛·耶尔马兹(Yalcin Yilmaz)、(美)艾东格·依邦(ldongesit Ebong)、(韩)李宇铉(Woo Hyung Lee)

版本附注:

由River Publishers授权出版

提要文摘附注:

本书涵盖忆阻器的发现与定义、数学模型、物理特性、器件系统以及神经形态计算，在此基础上，研究了基于忆阻器的数字存储器与多级存储架构、STDP、Q-Learning与迷宫搜索、细胞神经网络、BP神经网络、循环神经网络、WTA神经网络及其设计以及动力学与应用，分析了纳米电子器件、CMOS忆阻器神经形态芯片、滤波器设计及其图像处理等。

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