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题名/责任者:

硅技术的发展和未来/(法)P. 希弗特，(德)E. 克瑞梅尔编著 屠海令等译

出版发行项:

北京:冶金工业出版社,2009

ISBN及定价:

978-7-5024-4536-2/CNY50.00

载体形态项:

15,480页:图;24cm

个人责任者:

(法) 希弗特 (Siffert, Paul) 编著

个人责任者:

(德) 克瑞梅尔 (Krimmel, Eberhard F.) 编著

个人次要责任者:

屠海令 (1946~) 译

学科主题:

硅-研究

中图法分类号:

TQ127.2

提要文摘附注:

本书涵盖了半导体硅及硅基材料、多晶硅和光伏技术、硅外延和薄膜、硅掺杂、器件、化合物半导体、晶格缺陷、杂质影响等多方面的内容，并涉及量子计算机、碳纳米管在微电子中的应用、情境智能系统、大脑半导体等诸多新概念。

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